芯片從設(shè)計(jì)到成品有幾個(gè)重要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，但芯片成本構(gòu)成的比例確大不相同，一般為人力成本20%，流片40%，封裝35%，測(cè)試5%【對(duì)于先進(jìn)工藝，流片成本可能超過(guò)60%】。測(cè)試是芯片各個(gè)環(huán)節(jié)中“便宜”的一步，但測(cè)試是產(chǎn)品質(zhì)量重要一關(guān)，若沒(méi)有良好的測(cè)試，產(chǎn)品PPM【百萬(wàn)失效率】過(guò)高，退回或者賠償都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是5%的成本能代表的。

芯片需要做哪些測(cè)試呢？

主要分三大類：芯片功能測(cè)試、性能測(cè)試、可靠性測(cè)試，芯片產(chǎn)品要上市三大測(cè)試缺一不可。

         功能測(cè)試，看芯片對(duì)不對(duì)，是測(cè)試芯片的參數(shù)、指標(biāo)、功能，看是否能到達(dá)設(shè)計(jì)功能。

         性能測(cè)試，看芯片好不好，由于芯片在生產(chǎn)制造過(guò)程中，有無(wú)數(shù)可能的引入缺陷的步驟，即使是同一批晶圓和封裝成品，芯片也各有好壞，此時(shí)需要進(jìn)行篩選，將有壞的芯片丟掉。

         可靠性測(cè)試，芯片牢不牢，芯片通過(guò)了功能與性能測(cè)試，得到了好的芯片，但是芯片在各種工作環(huán)境中能否正常工作，以及芯片能用一個(gè)月、一年還是十年等等，這些都要通過(guò)可靠性測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。

要實(shí)現(xiàn)這些測(cè)試，我們有哪些測(cè)試方法呢？

         測(cè)試方法：板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試，多策并舉。

         板級(jí)測(cè)試，主要應(yīng)用于功能測(cè)試，使用PCB板+芯片搭建一個(gè)“模擬”的芯片工作環(huán)境，把芯片的接口都引出，檢測(cè)芯片的功能，或者在各種嚴(yán)苛環(huán)境下看芯片能否正常工作。

         晶圓CP測(cè)試，常應(yīng)用于功能測(cè)試與性能測(cè)試中，了解芯片功能是否正常，以及篩掉芯片晶圓中的故障芯片。CP【Chip Probing】顧名思義就是用探針【Probe】來(lái)扎Wafer上的芯片，把各類信號(hào)輸入進(jìn)芯片，把芯片輸出響應(yīng)抓取并進(jìn)行比較和計(jì)算，也有一些特殊的場(chǎng)景會(huì)用來(lái)配置調(diào)整芯片【Trim】。

         封裝后成品FT測(cè)試，常應(yīng)用與功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試中，檢查芯片功能是否正常，以及封裝過(guò)程中是否有缺陷產(chǎn)生，并且?guī)椭诳煽啃詼y(cè)試中用來(lái)檢測(cè)經(jīng)過(guò)“火雪雷電”之后的芯片是不是還能工作。

         系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試，常應(yīng)用于功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試中，常常作為成品FT測(cè)試的補(bǔ)充而存在，顧名思義就是在一個(gè)系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試，就是把芯片放到它正常工作的環(huán)境中運(yùn)行功能來(lái)檢測(cè)其好壞，缺點(diǎn)是只能覆蓋一部分的功能，覆蓋率較低所以一般是FT的補(bǔ)充手段。

         可靠性測(cè)試，主要就是針對(duì)芯片施加各種苛刻環(huán)境，比如ESD靜電，就是模擬人體或者模擬工業(yè)體去給芯片加瞬間大電壓。再比如老化HTOL【High Temperature Operating Life】，就是在高溫下加速芯片老化，然后估算芯片壽命。還有HAST【Highly Accelerated Stress Test】測(cè)試芯片封裝的耐濕能力，待測(cè)產(chǎn)品被置于嚴(yán)苛的溫度、濕度及壓力下測(cè)試，濕氣是否會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體從而損壞芯片。

         成都中冷低溫的高低溫沖擊設(shè)備TS-760提供老化測(cè)試、特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)，用于芯片、微電子器件、集成電路 （SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等） 、閃存Flash、UFS、eMMC 、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件等電子元器件/模塊冷熱測(cè)試。溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒 ; 經(jīng)長(zhǎng)期的多工況驗(yàn)證，滿足各類生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

 芯片測(cè)試不僅僅是“挑剔”“嚴(yán)苛”就可以，還需要全流程的控制與參與。從芯片設(shè)計(jì)、芯片開(kāi)啟驗(yàn)證、芯片流片到進(jìn)入量產(chǎn)階段測(cè)試，每個(gè)階段都需要解決相應(yīng)的訴求，解決如何持續(xù)的優(yōu)化流程，提升程序效率，縮減時(shí)間，降低成本等問(wèn)題。量產(chǎn)階段測(cè)試尤為重要，直接應(yīng)對(duì)客訴和PPM低的情況。所以說(shuō)芯片測(cè)試不僅僅是成本的問(wèn)題，而是平衡質(zhì)量、效率的與成本的關(guān)鍵！