1.什么是參數(shù)測試

通常的參數(shù)測試會涉及電氣參數(shù)測試，主要是表征電阻、二極管、晶體管和電容器的參數(shù)特性。實際的芯片可能涉及非常復雜的邏輯關系和結(jié)構(gòu)，由各種各樣的基礎器件進行組合。像3nm的芯片的晶體管密度已經(jīng)到達億/m㎡，這是電子產(chǎn)品性能不斷迭代的核心驅(qū)動力。

絕大多數(shù)參數(shù)測試都包括電流-電壓(IV)測量或電容-電壓(CV)測量。一般IV測量用的是SMU源/測量單元，CV測試是使用CMU電容測試單元。

2.何時/何處進行參數(shù)測試

參數(shù)測試的目的是確定半導體制程的特性。概而言之，參數(shù)測試包括下面三個主要領域: 工藝開發(fā)，器件建模和工藝控制。

前兩項是在實驗室、研發(fā)或試生產(chǎn)環(huán)境進行，最后一項則要在制造環(huán)境中進行。不同環(huán)境中所使用參數(shù)測量設備顯然會有不同的要求，工藝開發(fā)和器件建?？墒褂门_式儀器，而生產(chǎn)流程則應使用具有高吞吐率的測試儀。必須了解參數(shù)測試幾乎從不在最終產(chǎn)品上進行。相反，它是在能提供制程本身信息的特定測試結(jié)構(gòu)上進行。參數(shù)測試總是直接在半導體晶圓片上執(zhí)行。在生產(chǎn)測試中，參數(shù)測試結(jié)構(gòu)有時是位于晶圓片的刻線行或“街道”中，從而盡量減少器件所占的晶圓片面積。通常只是對參數(shù)測試結(jié)構(gòu)，而不是對整個晶圓片進行工藝開發(fā)和可靠性測試。

在生產(chǎn)中，參數(shù)測試通常是在晶圓片制造過程完成后 (即已進行了鈍化) 和對產(chǎn)品裸片的電氣性能分選(電分選)前執(zhí)行。

要對每一批次的每一片晶圓片進行測試，并把數(shù)據(jù)保存到數(shù)據(jù)庫中。顯然這是洪量的數(shù)據(jù)，可使用各種軟件工具將其處理成各種不同格式的數(shù)據(jù)。一種流行的格式是晶圓片圖，在用標量繪制的晶圓片上，它用不同顏色表示數(shù)據(jù)值的不同范圍。

3.參數(shù)測試儀表可執(zhí)行這類參數(shù)測量的第一種儀器是模擬圖示儀。半導體參數(shù)測試儀可執(zhí)行電流-電壓（IV）和電容測量（CV、C-f、C-t測量），包括分辨率低至fA（毫微微安培）的小電流測量和高達1MHz的CV測量，并快速、輕松地對測量結(jié)果進行分析，完成半導體參數(shù)測試。半導體參數(shù)測試是確定半導體器件特征及其制造過程的一項基礎測量。

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