在可靠性測(cè)試領(lǐng)域，有許多常見的英文縮寫及其對(duì)應(yīng)的描述。以下是一些常見的縮寫及其解釋：

HTOL (High Temperature Operating Life)

高溫工作壽命：在高溫下測(cè)試器件的工作壽命，以評(píng)估其可靠性。

HTS (High Temperature Storage)

高溫存儲(chǔ)：在高溫環(huán)境中存儲(chǔ)器件，以評(píng)估其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

TCT(Temperature Cycling Test)

溫度循環(huán)測(cè)試：通過反復(fù)的加熱和冷卻循環(huán)測(cè)試器件的可靠性。

HAST (Highly Accelerated Stress Test）

高加速應(yīng)力測(cè)試：在高溫高濕環(huán)境下測(cè)試器件，以評(píng)估其可靠性。

ESD(Electrostatic Discharge)

靜電放電：測(cè)試器件抵抗靜電放電損壞的能力。

EM (Electromigration)

電遷移：測(cè)試金屬互連在高電流密度下的可靠性。

TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown)

時(shí)間依賴的介質(zhì)擊穿：測(cè)試絕緣層在電場(chǎng)作用下的長(zhǎng)期可靠性。

BTI (Bias Temperature Instability)

偏壓溫度不穩(wěn)定性：測(cè)試器件在偏壓和溫度條件下的穩(wěn)定性。

HCI (Hot Carrier Injection)

熱載流子注入：測(cè)試高能載流子對(duì)器件可靠性的影響。

NBTI(Negative Bias Temperature Instability)

負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性：評(píng)估PMOS晶體管在負(fù)偏壓和高溫下的可靠性。

PBTI(Positive Bias Temperature Instability)

正偏壓溫度不穩(wěn)定性：評(píng)估NMOS晶體管在正偏壓和高溫下的可靠性。

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