在半導(dǎo)體工藝中，為了創(chuàng)建芯片內(nèi)部的微型器件，需要薄膜厚度小于1μm，此類薄膜無法通過普通的機(jī)械加工制造，只能通過物理噴鍍或化學(xué)反應(yīng)的方式將包含所需分子or原子的薄膜覆蓋在晶圓表面上，“薄膜沉積”即通過不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中的多余部分，另外再添加一些材料將不同的晶圓器件分離開來。

       常見的薄膜沉積方法包括物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、溶液法以及原子層沉積（ALD）。

       ①PVD（物理氣相沉積）：指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)分子、原子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在襯底表面沉積形成連續(xù)薄膜的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子等領(lǐng)域。

       ②CVD（化學(xué)氣相沉積）：通過將一種或多種氣體（稱為前驅(qū)體）加熱使其發(fā)生化學(xué)分解，產(chǎn)生反應(yīng)生成物，并在半導(dǎo)體表面沉積，形成所需的薄膜，用于沉積介質(zhì)絕緣層、半導(dǎo)體材料、金屬薄膜等。

       ③ALD（原子層沉積）：是一種基于化學(xué)氣相沉積的高精度薄膜沉積技術(shù)，使物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學(xué)氣相一層層的沉積在襯底表面，可用于介質(zhì)、絕緣薄膜、金屬薄膜的沉積。

       薄膜沉積工藝過程中通常會形成高溫環(huán)境，導(dǎo)致沉積設(shè)備不能正常運(yùn)轉(zhuǎn)，影響沉積效果和穩(wěn)定性，此時需要專業(yè)的溫控設(shè)備進(jìn)行降溫管理。冷水機(jī)通過提供的冷卻水可以將沉積工藝中產(chǎn)生的熱量帶走，確保設(shè)備溫度處于穩(wěn)定值，提高沉積效率和質(zhì)量，并保證沉積系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

       中冷低溫自主研發(fā)的Chiller ZC209是一臺對循環(huán)液進(jìn)行溫度控制并輸出冷熱液的裝置。具有溫度穩(wěn)定性高、溫度范圍廣、故障自診斷、外部通信等豐富功能。采用先進(jìn)的制冷及溫度控制技術(shù)，具有廣泛的溫度范圍:-20℃至+90℃，溫度精度可達(dá)±0.5℃，在半導(dǎo)體制作過程/激光加工機(jī)/分析裝置/LCD制造裝置/金屬模具溫控等行業(yè)用途廣泛。

       ChillerZC209主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、激光、FPD，如:半導(dǎo)體(蝕刻裝置、薄膜沉積、CMP、涂布機(jī)·顯影機(jī)、試驗機(jī)、清洗機(jī))

激光(激光加工機(jī),·激光焊接機(jī)、激光器、光纖激光器用傳送電纜接頭、超聲波檢查裝置、二次電池制造工程)

可適用于廣泛的行業(yè)，如制藥、化工、新能源、半導(dǎo)體、實驗室、高校等多種領(lǐng)域。

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